曝光顯影可以制造微小的電容、電阻、晶體管、發(fā)光二極管或太陽能電池等晶體管器件，快速將電信號轉變?yōu)槠渌问降哪芰?。曝光顯影技術可以制造出高精度微納米級別下的芯片制造工藝，凹凸面曝光顯影定制，大大提高了芯片質(zhì)量及其可靠性。預噴淋（pre-wet）：為了提高后面顯影液在硅片表面的附著性能，先在硅片表面噴上一點去離子水（Deionizedwater，凹凸面曝光顯影加工廠，DIW）。


曝光步驟是將光線聚焦在光刻膠上，而顯影步驟則是將底材浸泡在顯影劑中達到消除未曝光區(qū)域的目的。通過曝光顯影技術，可以在微米尺度上制造出高精度的微電子元器件和芯片。顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應，凹凸面曝光顯影，顯影液噴淋后需要在硅片表面停留一般為幾十秒到一兩分鐘。為感光的油墨被顯影液去除，通過這樣的方式，需要蝕刻的圖案顯影在鋼片上面了。

曝光顯影工藝在微電子加工中具有重要作用，主要用于將芯片圖案轉移至硅片表面，從而實現(xiàn)微電子器件的制造。

在實際應用中，曝光顯影工藝通常用于以下方面：制造微處理器：曝光顯影工藝是制造微處理器的主要工藝之一，通過在芯片表面制造出各種不同的電路和器件，凹凸面曝光顯影廠，實現(xiàn)芯片的功能。

曝光不足，導致單體聚合不，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。


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