顯影：將曝光后的硅片浸泡在顯影液中，在此過程中，光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分（即需要去除的圖案區(qū)域）中被消蝕，并暴露出硅片表面。曝光一般在曝光機內(nèi)進行，目前的曝光機依據(jù)光源冷卻方式可分為風冷和水冷，曝光質(zhì)量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質(zhì)量等因素。盡管對193i負膠的研發(fā)已經(jīng)傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。


將顯影液涂覆在曝光后的晶圓表面上，正膠的曝光區(qū)域和負膠的非曝光區(qū)域溶于顯影液中，海門耳機曝光顯影，進一步將反應(yīng)聚合物和顯影液殘留沖洗后，就可以顯現(xiàn)出光刻膠中的圖形，顯影噴淋（developer dispense）：在硅片表面涂覆顯影液。為了將顯影液均勻地涂覆到硅片表面上，顯影噴嘴分為以下幾種：E2噴嘴，LD噴嘴，耳機曝光顯影訂做，GP噴嘴，MGP噴嘴等。耳機曝光顯影耳機曝光顯影耳機曝光顯影耳機曝光顯影


曝光不足，耳機曝光顯影定做，導致單體聚合不，耳機曝光顯影廠，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會造成難顯影，留有殘膠。同時曝光影響圖案的線寬，過量曝光會使圖形線條變細，盡管對193i負膠的研發(fā)已經(jīng)傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現(xiàn)較窄的溝槽，負顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)中


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