3.1 恒流工作模式控制電路

典型的MOSFET有3個(gè)工作區(qū)，即截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)MOSFET工作于線性區(qū)時(shí)，通過(guò)控制其柵源極之間電壓VGS可實(shí)現(xiàn)對(duì)其流過(guò)電流Id的控制，終控制其等效阻抗，從而對(duì)電源的輸出性能測(cè)試。其子控制電路如圖2所示，選用低溫漂采樣電阻采集電流信號(hào)，再將該電流信號(hào)差分放大接入運(yùn)放U1A 反向輸入端，U1A將電流信號(hào)和同向輸入端的控制信號(hào)作比較運(yùn)算，控制MOSFET柵極電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET等效阻抗的控制。

4，  焰熔法晶塊料。   

晶塊料普遍使用維爾納葉爐焰熔法Verneuil進(jìn)行生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)振動(dòng)篩將高純氧化體慢慢從爐頂篩下，當(dāng)氧化末在通過(guò)高溫的氫氧火焰后熔化，熔滴在下落過(guò)程中冷卻并在種晶上固結(jié)逐漸生長(zhǎng)形成晶體。   

晶塊料是白色半透明狀的，回收測(cè)試不良電池片硅片多少錢(qián)，國(guó)內(nèi)現(xiàn)在很多人士尤其是迷戀它，看上去透明無(wú)色以為純度很高，其實(shí)純度也就3個(gè)9. 但它的純度也值得我們?nèi)タ季俊?nbsp;  

生產(chǎn)過(guò)程中氫氣需要通過(guò)不銹鋼管道進(jìn)入到爐體，不銹鋼管道的鐵、鎳、鉻、鈦等金屬離子和其他的金屬雜質(zhì)會(huì)隨著氫氣吹到氧化鋁熔融的晶體內(nèi)。氧化鋁的熔化溫度是2050度，F(xiàn)e，Ti，Cr，Mg等元素的熔化溫度已經(jīng)在2200度左右，這些技術(shù)雜質(zhì)氣化溫度要到達(dá)4000度以上，這些金屬雜質(zhì)或者金屬氧化物2050度根本不會(huì)氣化，他們?nèi)慷剂粼诰w內(nèi)部。氫氧焰只能吹走表面少量較輕的雜質(zhì)，如鎂，鈣等，但對(duì)里層的雜質(zhì)毫無(wú)作用。

硅片的定義　　

硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片，是制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力。科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體的發(fā)展。自動(dòng)化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度。

硅片的規(guī)格　　

硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑、單晶生長(zhǎng)方法、摻雜類型等參量和用途來(lái)劃分種類。