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現(xiàn)了,NT173WDM-N27液晶屏,碳化硅Sic器件能提高2.5倍的工作頻率,耐壓擴充10倍到2萬伏,降低了80%的工作損耗,NV173FHM-N49液晶屏,Sic器件的工作結溫在200度以上,NV133FHM-N43液晶屏,而且能做到很高耐壓的情況下芯片很薄,液晶屏,散熱良好并且節(jié)省空間。Sic碳化硅IGBT缺點就是成本比Si硅基IGBT貴6倍,因為高氧柵極影響造成良品率問題,但
作者:歐凡001
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來源:知乎
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