LSC320AN10 三星32"液晶玻璃1366×768 05000:189/89/89/8916.7M無背光LVDS

現(xiàn)了，NT116WHM-A22液晶屏，碳化硅Sic器件能提高2.5倍的工作頻率，耐壓擴充10倍到2萬伏，TV080WUM-NH1液晶屏，降低了80%的工作損耗，Sic器件的工作結(jié)溫在200度以上，而且能做到很高耐壓的情況下芯片很薄，散熱良好并且節(jié)省空間。Sic碳化硅IGBT缺點就是成本比Si硅基IGBT貴6倍，因為高氧柵極影響造成良品率問題，液晶屏，但

作者：歐凡001

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HV320WHB-N00京東方32"液晶玻璃1366×768 01200:189/89/89/8916.7M無背光LVDS

但是Sic的強大的性能依然獲得眾多廠商的力捧，特斯拉Model 3換成Sic IGBT以后，續(xù)航直接從420公里上升到660公里，充電15分鐘就能補充250公里航程，真香。

IGBT是能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)钠骷渌挠呻婒?qū)動的電動車，比如高鐵也大量應(yīng)用IGBT，

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LD320DUY-SPA1LG Disy32"液晶玻璃1920×1080 01100:189/89/89/8916.7M無背光LVDS

④ Diode芯片：

圖11為Diode芯片的平面俯視圖，正面為陽極，背面為陰極。二極管的電流方向是從上至下的，正好與IGBT的電流方向相反。Diode芯片額定電流為235A，每個IGBT由6個Diode并聯(lián)組成，總電流可達1410A，與模塊手冊中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度與IGBT一樣，也為200um。關(guān)于Diode芯片更詳細(xì)的參數(shù)可以參考手冊[2]。

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