EDI超純水系統(tǒng)進水水質(zhì)指標控制措施如下：

EDI超純水系統(tǒng)進水水質(zhì)指標控制措施如下：進水CO2的控制。反滲透前可通過加堿調(diào)節(jié)pH值，半導體純水設備安裝，盡可能多地去除CO2，半導體純水設備報價，也可通過脫氣塔和脫氣膜去除CO2。進水硬度控制。結(jié)合CO2去除，RO進水可以軟化和加堿。當進水含鹽量較高時，可加入一級反滲透或納濾結(jié)合脫鹽?！OC控制。結(jié)合其他指標要求，增加RO級別以滿足要求。濁度和污染指數(shù)的控制。濁度和污染指數(shù)是RO系統(tǒng)進水控制的主要指標之一。合格的RO出水一般都能滿足EDI超純水系統(tǒng)進水要求。

EDI超純水系統(tǒng)進水水質(zhì)指標控制措施如下：

EDI超純水系統(tǒng)進水水質(zhì)指標控制措施如下：　　1、控制進水電導率?？刂祁A處理過程中的電導率，使EDI超純水系統(tǒng)入口電導率小于40μS/cm，確保出水電導率合格，去除弱電解液?！　?、工作電壓電流控制。系統(tǒng)在運行過程中應選擇合適的工作電壓電流。同時，半導體純水設備定制，EDI超純水系統(tǒng)的電壓-電流曲線上存在一個極限電壓-電流點，它與進水水質(zhì)、膜和樹脂性能、膜結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。為了電離一定量的水以產(chǎn)生足夠的H 和OH-離子以再生一定量的離子交換樹脂，所選EDI超純水系統(tǒng)的電壓-電流工作點必須大于極限電壓-電流點。

在半導體生產(chǎn)中，超純水主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設備的冷卻水、電鍍?nèi)芤旱呐渲?。集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)量密切相關(guān)。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會降低PN結(jié)的耐壓力，III族元素 (B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化。細菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會使p型硅片局部變?yōu)镹型硅片，導致器件性能下降。水中的顆粒，包括細菌，天津半導體純水設備，如果附著在硅片表面，會導致短路或性能惡化?？梢姡兯诎雽w行業(yè)的必要性。

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