3.如果設(shè)備使用的主泵為擴(kuò)散泵時(shí)，應(yīng)在泵的進(jìn)氣口一側(cè)裝設(shè)有油蒸捕集阱。

4.設(shè)備的鍍膜室應(yīng)設(shè)有觀察窗，應(yīng)設(shè)有擋板裝置。觀察窗應(yīng)能觀察到沉積源的工作情況以及其他關(guān)鍵部位。

5.離子鍍沉積源的設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。

6.合理布置加熱裝置，一般加熱器結(jié)構(gòu)布局應(yīng)使被鍍工件溫升均勻一致。

7.工件架應(yīng)與真空室體絕緣，工件架的設(shè)計(jì)應(yīng)使工件膜層均勻。

8.離子鍍膜設(shè)備一般應(yīng)具有工件負(fù)偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應(yīng)具有抑制非正常放電裝置，維持工作穩(wěn)定。

9.真空室接不同電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4、4、6。

真空鍍膜

PVD鍍膜(離子鍍膜)技術(shù)，其具體原理是在真空條件下，坪山真空鍍膜，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上。真空鍍膜

PVD鍍膜膜層的厚度—PVD鍍膜膜層的厚度為微米級(jí)，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，真空鍍膜公司，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm～1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，鍍后不須再加工。

真空鍍膜的種類：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，真空鍍膜加工，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空蒸發(fā)鍍膜原理：它是將膜材置于真空鍍膜室內(nèi)，通過蒸發(fā)源使其加熱蒸發(fā)。當(dāng)蒸發(fā)分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片間的線尺寸后，蒸發(fā)的粒子從蒸發(fā)源表面上逸出。


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