半導體芯片退火

半導體芯片在經過離子注入以后就需要退火。因為往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，成品件調質，使一些晶格原子發(fā)生位移，結果造成大量的空位，將使得注入區(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷。同時，退火還有施主和受主雜質的功能，即把有些處于間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置。退火的溫度一般為200~800C，比熱擴散摻雜的溫度要低得多。

2加入合金元素使鋼的表面形成一層穩(wěn)定的、完整的與鋼的基體結合牢固的純化

膜。從而提高鋼的耐化學腐蝕能力。如在鋼中加入 Cr，Si.Al等合金元素 使鋼的表層形

成致密的Cr2O3，SiO2，Al2O3等氧化膜 就可提高鋼的耐蝕性。

   3加入合金元素使鋼在常溫時能以單相狀態(tài)存在減少微電池數目從而提高鋼的

耐蝕性。如加入足夠數量的Cr或CrNi，使鋼在室溫下獲得單相鐵 素體或單相奧氏體。

   4加入Mo、Cu等元素提高鋼抗非氧化性酸腐蝕的能力。

   5加入TiNb等元素消除Cr的晶間偏析從而減輕了晶問腐蝕傾向。

   6加入Mn、N等元素代替部分Ni獲得單相奧氏體組織同時能大大提高鉻不銹

鋼在有機酸中的耐蝕性。

鋼的正火

鋼的正火通常是把鋼加熱到臨界溫度Ac3或Accm線以上，保溫一段時間，然后進行空冷。由于冷卻速度稍快，與退火組織相比，組織中的珠光體量相對較多，且片層較細密，故性能有所改善，板料調質，細化了晶粒，調質，改善了組織，消除了殘余應力。對低碳鋼來說，正火后提高硬度可改善切削加工性，套類調質，提高零件表面光潔度；對于高碳鋼，則正火可消除網狀滲碳體，為下一步球化退火及淬火作好組織準備。

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