給個(gè)曲軸的尺寸和下一到工序和加工要求 你用高頻做 說明你的曲軸尺寸并不大 肉眼觀察溫度大概900度就可以淬火了 淬火介質(zhì)是水溶性的淬火液 時(shí)間也就是幾秒或者十幾秒 自己感覺下 震動(dòng)減弱的時(shí)候就可以出水了 淬火硬度大概在HRC60左右 回火溫度150，170左右吧 時(shí)間嘛你肯定是連續(xù)做的 爐子一直開著 做一個(gè)扔進(jìn)去一個(gè) 后一個(gè)做完了再保溫一個(gè)半小時(shí)差不多了 回火好了后根據(jù)后面的加工要求及變形情況要需不需要矯直 如需矯直壓迫帶溫矯直 一個(gè)個(gè)出爐矯

半導(dǎo)體芯片退火

半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火。因?yàn)橥雽?dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時(shí)，熱處理，高能量的入射離子會(huì)與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，淬火熱處理，結(jié)果造成大量的空位，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火，以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時(shí)，高頻熱處理，退火還有施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進(jìn)入替代位置。退火的溫度一般為200~800C，比熱擴(kuò)散摻雜的溫度要低得多。

蒸發(fā)電極金屬退火

蒸發(fā)電極金屬以后需要進(jìn)行退火，使得半導(dǎo)體表面與金屬能夠形成合金，以接觸良好（減小接觸電阻）。這時(shí)的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導(dǎo)體的共熔點(diǎn)（對(duì)于Si-Al合金，為570度）。  

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