真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過(guò)程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，大大擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無(wú)論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。

上述四種都屬于物理氣相沉積技術(shù)應(yīng)用（PVD）。

接下來(lái)是化學(xué)氣相沉積（CVD）。它是以化學(xué)反應(yīng)的方式制作薄膜，表面真空鍍膜加工，原理是一定溫度下，虎門(mén)真空鍍膜加工，將含有制膜材料的反應(yīng)氣體通到基片上并被吸附，在基片上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)形成核，不銹鋼真空鍍膜加工，隨后反應(yīng)生成物脫離基片表面不斷擴(kuò)散形成薄膜。

束流沉積鍍，結(jié)合了離子注入與氣相沉積鍍膜技術(shù)的離子表面復(fù)合處理技術(shù)，是一種利用離化的粒子作為蒸鍍材料，在比較低的基片溫度下，形成具有良好特性薄膜的技術(shù)。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，塑膠真空鍍膜加工廠，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點(diǎn)：

(1)薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。

(2)在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。

(3)薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，薄膜牢固。

(4)干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無(wú)環(huán)境污染。

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