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現(xiàn)了,碳化硅Sic器件能提高2.5倍的工作頻率,耐壓擴充10倍到2萬伏,降低了80%的工作損耗,Sic器件的工作結(jié)溫在200度以上,QT156WHM-N42液晶屏,而且能做到很高耐壓的情況下芯片很薄,散熱良好并且節(jié)省空間。Sic碳化硅IGBT缺點就是成本比Si硅基IGBT貴6倍,因為高氧柵極影響造成良品率問題,但
作者:歐凡001
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從而的改變車輛行駛的速度和加速能力。電動汽車3秒可以加速到100公里的強悍起步能力,NV116FHM-N49液晶屏,就是因為交流電機轉(zhuǎn)速啟動特別快,后面就是IGBT的功勞。
在充電樁上,充電樁從電網(wǎng)上接出來的電流是標準的220伏交流電,而特斯拉電動汽車的電池充電,需要直流電充電,這就需要IGBT將交流電變成直流電,并把電壓提高到電動車需要的400伏的
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