超純水設(shè)備出水符合芯片生產(chǎn)用水需求

超純水設(shè)備出水符合芯片生產(chǎn)用水需求　在芯片生產(chǎn)中，幾乎每一道工序都需要超純水清洗，工件與水直接接觸。一旦水質(zhì)不達(dá)標(biāo)或水中含有雜質(zhì)，就會降低設(shè)備性能，降低產(chǎn)量。確保超純水的質(zhì)量是我國自主研發(fā)芯片的重要基礎(chǔ)。傳統(tǒng)的超純水生產(chǎn)工藝采用陰離子樹脂交換設(shè)備。這種工藝的缺點是樹脂在使用一段時間后會頻繁地再生，增加成本。隨著膜分離技術(shù)的不斷成熟，萊特萊德采用反滲透工藝，或反滲透后再采用EDI和拋光混床工藝生產(chǎn)超純水，出水電導(dǎo)率可達(dá)18.2MΩ，滿足芯片行業(yè)用水需求。隨著芯片制造工藝中對設(shè)計的需求更小，半導(dǎo)體純水設(shè)備，對純水水質(zhì)的要求也越來越嚴(yán)格。萊特萊德芯片超純水設(shè)備能在一定程度上去除水中的二氧化硅、顆粒、細(xì)菌、有機(jī)物和微生物，從而達(dá)到行業(yè)用水要求。

EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：

EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：進(jìn)水CO2的控制。反滲透前可通過加堿調(diào)節(jié)pH值，盡可能多地去除CO2，也可通過脫氣塔和脫氣膜去除CO2。進(jìn)水硬度控制。結(jié)合CO2去除，RO進(jìn)水可以軟化和加堿。當(dāng)進(jìn)水含鹽量較高時，可加入一級反滲透或納濾結(jié)合脫鹽?！OC控制。結(jié)合其他指標(biāo)要求，增加RO級別以滿足要求。濁度和污染指數(shù)的控制。濁度和污染指數(shù)是RO系統(tǒng)進(jìn)水控制的主要指標(biāo)之一。合格的RO出水一般都能滿足EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水要求。

EDI超純水設(shè)備壓力過高該如何是好？當(dāng)EDI超純水設(shè)備壓力過高時，鹽的吸收速度會變得非常快，縮短了再生時間，天津純水設(shè)備，無法達(dá)到樹脂再生的效果。如果EDI超純水設(shè)備壓力過高，EDI純水設(shè)備，應(yīng)及時檢查水閥、管道堵塞、濃水調(diào)節(jié)等因素。逐一檢查故障并采取相應(yīng)的解決方案。常見解決方案：　　1、增加上游凈化水壓力，根據(jù)RO入口截止閥調(diào)整濃水和產(chǎn)水壓力。　　2、打開高壓泵出口閥和RO入口閥，或關(guān)閉濃水管道上的針閥。為了保證EDI超純水設(shè)備的正常運(yùn)行和使用壽命，我們在日常使用中應(yīng)多觀察并及時記錄。

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