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西晉時(shí)張華（232—300）撰寫的《博物志》中有這樣的記載：“今人梳頭、脫著衣時(shí)，有隨梳、解結(jié)有光者，也有咤聲。”意思是說梳頭、穿衣服時(shí)，常發(fā)生摩擦起電，有時(shí)還能看到小火星和聽到微弱的響聲。古希臘是西方電磁學(xué)的發(fā)源地。在古希臘的文獻(xiàn)中記載了一些電磁現(xiàn)象。柏拉圖(前427—前347)曾提到“關(guān)于琥珀和磁石的吸引是觀察到的奇事”。表明公元三百多年古希臘人就發(fā)現(xiàn)了琥珀吸引小物體的現(xiàn)象。

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首先在器件和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，應(yīng)充分體現(xiàn)靜電防護(hù)的思想，在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護(hù)元件(ESD Protection Device)，盡量使用對(duì)靜電不敏感的器件以及對(duì)所使用的靜電放電敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供適當(dāng)?shù)妮斎氡Ｗo(hù)，使其更合理地避免ESD的傷害。MOS工藝是集成電路制造的主導(dǎo)技術(shù), 以金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管為基本構(gòu)造元件。由于MOS器件中場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間是一層亞微米級(jí)的絕緣柵氧化層，故其輸入阻抗通常大于1000M ，并且具有5pF左右的輸入電容，極易受到靜電的損害。因此，在MOS器件的輸入級(jí)中均設(shè)置了電阻-二極管防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流, 二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器件內(nèi)常見的防護(hù)元件還有：電容、雙極晶體管、可控硅整流器（SCR，見圖1）等, ESD發(fā)生時(shí)，它們?cè)谑鼙Ｗo(hù)器件之前迅速作出反應(yīng)，將ESD的能量吸收、釋放，使被保護(hù)器件所受沖擊大為降低。正常情況下，防護(hù)元件在其一次崩潰(First Breakdown)區(qū)內(nèi)工作，不會(huì)受到ESD損傷，一旦外加電壓或電流過量(Overstress)，進(jìn)入二次崩潰(Secondary Breakdown)區(qū)的防護(hù)元件將受到不可逆轉(zhuǎn)的損害，失去對(duì)器件的保護(hù)作用。

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國內(nèi)外潔凈技術(shù)的發(fā)展都是隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品生產(chǎn)的更新?lián)Q代,特別是工業(yè)、電子、航天等工業(yè)的發(fā)展而不斷演進(jìn)的。現(xiàn)代工業(yè)產(chǎn)品和現(xiàn)代科學(xué)實(shí)驗(yàn)活動(dòng)要求微型化、精密化、高純度、高質(zhì)量和高可靠性。以微型化為例,電子計(jì)算機(jī)從當(dāng)初放置在若干個(gè)房間內(nèi)龐大的機(jī)組發(fā)展到今天的便攜式筆記本。與此同時(shí),它內(nèi)部所使用的電子元器件也從電子管到半導(dǎo)體分立器件,再到集成電路和極大規(guī)模集成電路;集成電路的線寬也已從幾微米發(fā)展到當(dāng)今45納米。這些新科技產(chǎn)品要求具有嚴(yán)格的潔凈生產(chǎn)環(huán)境。潔凈技術(shù)便是根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)對(duì)潔凈生產(chǎn)環(huán)境中污染物的控制要求、控制方法以及控制設(shè)施等日益嚴(yán)格的要求不斷發(fā)展而來的。