由于單個MOSFET可耗散的功率有限，因此選用了8路MOSFET并聯(lián)的結構，對光伏組件的輸出電流分流，并將8個MOSFET均勻固定在散熱片上，避個MOSFET因功率過大而燒毀。對各個MOSFET分別采用上述的子控制電路，使得各MOSFET 工作狀態(tài)大致相同，減小不同MOSFET工作溫度差。后將8路差分放大的電流信號通過加法電路疊加成總電流信號，采用外圍反饋電路使總電流信號與DAC模塊給定的控制信號比較，同時將輸出信號接入各MOSFET控制電路中，形成外圍反饋控制。

戶外測試平臺設計方案

提出了一種可自動切換工作模式的可編程電子負載，對IV特性曲線上恒流段和恒壓段分別采用電子負載的恒壓和恒流控制方式，地測量IV特性曲線上256個工作點。光伏組件輸出能量，通過散熱片耗散。對IV特性曲線的快速掃描減少了戶外環(huán)境下輻照度突變對其輸出特性的影響。當測量光伏組件電氣特性及環(huán)境參數(shù)后，將數(shù)據(jù)發(fā)送至上位機并存儲。為避免上位機關機或網(wǎng)絡通信故障，還需將數(shù)據(jù)臨時存儲于平臺內，以保證數(shù)據(jù)的安全性和完整性。

大多數(shù)藍寶石基板廠家為了追求穩(wěn)定性，多采用日本的研磨機臺以及原廠的多晶鉆石液。但是隨著成本壓力的升高以及國內耗材水準的提升，目前國內的耗材產(chǎn)品已經(jīng)可以替代原廠產(chǎn)品，并且顯著降低成本。

說到多晶鉆石液不妨多說兩句，對于多晶鉆石液的微粉部分，一般要求顆粒度要集中，形貌要規(guī)整，這樣可以提供持久的切削力且表面刮傷比較均勻。國內可以生產(chǎn)多晶鉆石微粉的廠家有北京國瑞升和四川久遠，而國瑞升同時可以自己生產(chǎn)鉆石液，因此在品質與成本上具有較大優(yōu)勢。美國的Diamond InnovaTIon近推出了“類多晶鉆石” ，實際是對普通單晶鉆石的一種改良，雖然比較堅固的結構能提供較高的切削力，回收太陽能發(fā)電板回收價格，但是同時也更容易造成較深的刮傷。

4. 拋光：多晶鉆石雖然造成的刮傷明顯小于單晶鉆石，但是仍然會在藍寶石表面留下明顯的刮傷，因此還會經(jīng)過一道CMP拋光，去除所有的刮傷，留下的表面。CMP工藝原本是針對矽基板進行平坦化加工的一種工藝，現(xiàn)在對藍寶石基板同樣適用。經(jīng)過CMP拋光工藝的藍寶石基板在經(jīng)過層層檢測，達到合格準的產(chǎn)品就可以交給外延廠進行磊晶了。