描述

CS2N65A4HY，硅N溝道增強型VDMOSFET是通過自對準平面技術獲得的這減少了傳導損耗，改善了開關性能并增強雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關電路小型化和更高的效率。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。

特征

快速切換

低導通電阻（Rdson≤5Ω)

低柵極電荷（典型數(shù)據：9nC）

低反向轉移電容（典型值：6pF）

100%單脈沖雪崩能量測試

應用

適配器和充電器的電源開關電路。