描述

CS45N06A4是硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，通過高密度溝槽技術(shù)獲得，可降低傳導(dǎo)損耗、提高開關(guān)性能和增強(qiáng)雪崩能量。該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)和PWM應(yīng)用。包裝形式為TO-252，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

特點(diǎn)

快速切換

低導(dǎo)通電阻（Rdson≤16米?)

低柵極電荷 

低反向轉(zhuǎn)移電容

100%單脈沖雪崩能量測試

應(yīng)用

適配器和充電器的電源開關(guān)電路

LED背光驅(qū)動(dòng)器

同步校正