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作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較，依據(jù)SiC的MOSFET器件隔絕工作標(biāo)準(zhǔn)電壓是前邊一種的10倍，電源總開關(guān)速度約是其10倍，廣東開關(guān)電源設(shè)計(jì)，25℃時(shí)的導(dǎo)通電阻僅有其一半或更小。此外，工作溫度蕞大做到200℃（硅器件為125℃），因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理方案獲得簡(jiǎn)單。

SiC電源總開關(guān)器件輸出功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是ROHMSemiconductor的SCT3105KRC14，1200V、24A的N橫斷面SiC輸出功率MOSFET，RDS(on)典型值為105mΩ。該器件具有的導(dǎo)熱系數(shù)特性，相對(duì)于釋放出來的脈沖寬度能夠迅速保證蕞高值，輸出功率水平較低時(shí)，一種做法是選擇結(jié)合了轉(zhuǎn)化器可調(diào)穩(wěn)壓電源與相關(guān)輸出功率電源總開關(guān)器件的IC。該做法的優(yōu)勢(shì)在于可調(diào)穩(wěn)壓電源與功率器件的互連有益于提高電路，而在所難免的內(nèi)寄生效應(yīng)特性也在使用說明中有一定的描述。

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從工業(yè)而言，如今工業(yè)設(shè)計(jì)方案的相對(duì)密度和主控板的復(fù)雜性愈來愈高，工業(yè)觸摸屏、操縱、控制回路、手機(jī)軟件的可信性、系統(tǒng)軟件的可靠性花的時(shí)間會(huì)愈來愈多。怎樣在工業(yè)行業(yè)和主控板設(shè)計(jì)方案時(shí)的難度系數(shù)，加速設(shè)計(jì)產(chǎn)品的迭代更新速率呢？開關(guān)電源設(shè)計(jì)

把以往比較復(fù)雜的電源信息系統(tǒng)集成在一個(gè)控制模塊里，將隔離電源的技術(shù)性和集成電路芯片散裝的加工工藝組成，開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案，作出了防護(hù)的電源控制模塊，在為了確保的可靠性的前提條件下，安防設(shè)備開關(guān)電源設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)單化設(shè)計(jì)產(chǎn)品。工業(yè)UPS必須應(yīng)對(duì)塵土、有機(jī)氣體、高溫、噪聲、電源影響、干躁或過濕等各種各樣惡劣的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。開關(guān)電源設(shè)計(jì)

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●屏蔽：電流的磁效應(yīng)屏蔽按基本概念可分為電場(chǎng)屏蔽、磁場(chǎng)屏蔽和電磁場(chǎng)屏蔽三種。電場(chǎng)屏蔽包含放電屏蔽和交變電場(chǎng)屏蔽；磁場(chǎng)屏蔽包含低頻磁場(chǎng)屏蔽和高頻磁場(chǎng)屏蔽。不一樣類型的電流的磁效應(yīng)屏蔽對(duì)屏蔽體的要求不一樣。在實(shí)際的屏蔽中，開關(guān)電源設(shè)計(jì)售后服務(wù)，電流的磁效應(yīng)屏蔽更各個(gè)方面上在于屏蔽體的結(jié)構(gòu)，即導(dǎo)電率的延續(xù)性。實(shí)際的屏蔽體由于生產(chǎn)加工、安裝、維修、散熱、觀察及插孔連接要求，其上面一般都開過形狀各異、規(guī)格型號(hào)不一樣的孔縫，這類孔縫對(duì)于屏蔽體的屏蔽起著重要的傷害作用，因此盡量采用一定的合理對(duì)策來抑制孔縫的電流的磁效應(yīng)泄漏。

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