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單晶鐵氧體制造工藝——與非金屬單晶生長大致相同。Mn-Zn和Ni-Zn系鐵氧體單晶生長一般是采用布里茲曼法，即把多晶鐵氧體放入鉑坩堝里熔融后，在適當?shù)臏囟忍荻入姞t中使坩堝下降，從坩堝底部慢慢固化生成單晶。為了使熔融狀態(tài)下形成的氧分壓達到平衡，晶體生長時在爐膛內(nèi)需要加幾個乃至100個MPa的氧分壓。

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多晶鐵氧體生產(chǎn)工藝——類似陶瓷工業(yè)中常用的燒結過程，包括如下步驟：經(jīng)固相反應形成鐵氧體的金屬氧化物或碳酸鹽或其他化合物，在混合均勻之后，經(jīng)球磨、干燥，壓成特定的形狀。在大約1000°C的溫度下進行預燒后，再一次充分研磨和混合。加入適量的粘合劑，壓成所要求的形狀或者作為塑性物質(zhì)擠壓成管狀、棒狀或條狀。然后在1200～1400°C溫度下燒結，準確的溫度取決于所需的鐵氧體特性。在后的燒結過程中，爐膛中的環(huán)境條件起有重要的作用。

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鐵氧體多晶薄膜的制備，如垂直磁化的鋇鐵氧體薄膜，采用新型的對向靶濺射裝置進行濺射。制備石榴石單晶薄膜，多采用在單晶基板上進相或液相外延法，其具體工藝過程同半導體單晶薄膜的外延方法極為相近。

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