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4,曝光
前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上,NR26 25000P光刻膠,經(jīng)與光刻版對準(zhǔn)后,進行曝光,接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化,NR26 25000P光刻膠公司,形成潛影,NR26 25000P光刻膠哪家好,
光源與光刻膠相匹配,也就是光源波長在光刻膠的敏感波段;
對準(zhǔn):指光刻板上與襯底的對版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對準(zhǔn),這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。
曝光時間,由光源強度,光刻膠種類,NR26 25000P光刻膠多少錢,厚度等決定,
另外,為降低駐波效應(yīng)影響,可在曝光后需進行烘焙,稱為光后烘焙(PEB)
6,堅膜
堅膜也叫后烘,是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象,能使膠膜附著能力增強,康腐蝕能力提高。
堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min
7,顯影檢驗
光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡
小孔、小島。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢: - 優(yōu)異的分辨率性能 - 快速地顯影 - 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度 - 耐受溫度100℃ - 室溫儲存保質(zhì)期長達3 年
下游發(fā)展趨勢
光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的材料。2016年半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元,分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預(yù)計2017和2018年半導(dǎo)體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用,193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加
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