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含硅光刻膠
為了避免光刻膠線條的倒塌,NR9 3000PY光刻膠哪里有,線寬越小的光刻工藝,就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術(shù)節(jié)點,光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2] 。為此,研發(fā)了含Si的光刻膠,NR9 3000PY光刻膠報價,這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer),其對光是不敏感的。曝光顯影后,利用氧等離子體刻蝕,把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到Underlayer上,在氧等離子體刻蝕條件下,含Si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于Underlayer,具有較高的刻蝕選擇性 [2] 。含有Si的光刻膠是使用分子結(jié)構(gòu)中有Si的有機材料合成的,例如硅氧烷,含Si的樹脂等
光刻膠的參數(shù)是什么?
分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,NR9 3000PY光刻膠哪家好,芯片制造特征尺寸越來越小,對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。
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光刻膠簡介
賽米萊德——光刻膠供應(yīng)商,我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?/p>
光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業(yè)的,以后才用于電子工業(yè)。 [1] 光刻膠是一種有機化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。
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