光刻膠主要用于圖形化工藝

以半導體行業(yè)為例，光刻膠主要用于半導體圖形化工藝。圖形化工藝是半導體制造過程中的工藝。圖形化可以簡單理解為將設計的圖像從掩模版轉移到晶圓表面合適的位置。

一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉移，流程一般分為十步:1.表面準備，2.涂膠，3.軟烘焙，4.對準和曝光，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.終檢查。

具體來說，在光刻前首先對于晶圓表面進行清洗，光刻膠廠家，主要采用相關的濕化學品，包括氨水等。

晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機里。在掩模版與晶圓進行對準以后，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實現(xiàn)曝光，電子光刻膠廠家，這個過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應的氣體和濕化學品。

對曝光以后的光刻膠進行顯影以及再次烘焙并檢查以后，實現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉移。在光刻膠的保護下，對于晶圓進行刻蝕以后剝離光刻膠然后進行檢查，實現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉移。

目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕，主要用到含氟和含體。

光刻膠按用途分類

光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進步，應用領域不斷擴大，衍生出非常多的種類，按照應用領域，光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術水平。

(1)半導體用光刻膠

在半導體用光刻膠領域，光刻技術經(jīng)歷了紫外全譜(300～450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV，包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個階段。相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生，光刻膠中的關鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化，光阻劑光刻膠廠家，使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。

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硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

注意事項：

①若腐蝕液為堿性，則不宜用正性光刻膠；

②看光刻機型式，若是投影方式，用常規(guī)負膠時氮氣環(huán)境可能會有些問題

③負性膠價格成本低，正性膠較貴；

④工藝方面：負性膠能很好地獲得單根線，而正性膠可獲得孤立的洞和槽；

⑤健康方面：負性膠為有機溶液處理，不利于環(huán)境；正性膠屬于水溶液，對健康、環(huán)境無害。

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