光刻膠主要用于圖形化工藝

以半導(dǎo)體行業(yè)為例，光刻膠主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝。圖形化工藝是半導(dǎo)體制造過程中的工藝。圖形化可以簡單理解為將設(shè)計的圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面合適的位置。

一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉(zhuǎn)移，流程一般分為十步:1.表面準備，2.涂膠，3.軟烘焙，4.對準和曝光，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.終檢查。

具體來說，在光刻前首先對于晶圓表面進行清洗，NR26 25000P光刻膠哪里有，主要采用相關(guān)的濕化學(xué)品，包括氨水等。

晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機里。在掩模版與晶圓進行對準以后，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實現(xiàn)曝光，這個過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應(yīng)的氣體和濕化學(xué)品。

對曝光以后的光刻膠進行顯影以及再次烘焙并檢查以后，實現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉(zhuǎn)移。在光刻膠的保護下，對于晶圓進行刻蝕以后剝離光刻膠然后進行檢查，實現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉(zhuǎn)移。

目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕，主要用到含氟和含體。

光刻膠的未來發(fā)展

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由于光刻膠的技術(shù)壁壘較高，國內(nèi)光刻膠市場基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業(yè)占據(jù)。  

國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模相對較小。國內(nèi)生產(chǎn)的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

國內(nèi)光刻膠需求量遠大于本土產(chǎn)量，NR26 25000P光刻膠，且差額逐年擴大。由于國內(nèi)光刻膠起步晚，目前技術(shù)水平相對落后，生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產(chǎn)品，TFT-LCD、半導(dǎo)體光刻膠等高技術(shù)壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少，NR26 25000P光刻膠價格，仍需大量進口，從而導(dǎo)致國內(nèi)光刻膠需求量遠大于本土產(chǎn)量。

光刻膠

在曝光過程中，正性膠通過感光化學(xué)反應(yīng)，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系，達到削弱聚合體的目的，所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠，在感光反應(yīng)過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密，NR26 25000P光刻膠報價，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區(qū)間顯影，負性膠則相反。負性膠由于曝光區(qū)間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。

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