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20.有沒有光刻膠PC3-6000的資料嗎?
A PC3-6000并不是光刻膠,它是用在chip
on glass 上的膠粘劑。
21.是否有Wax替代品?
A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定,比較容易去除掉。
22.貴公司是否有粘接硅襯底和襯底的材料?
A 有,IC1-200就是
23.請問是否有不用HMDS步驟的正性光刻膠?
A 美國Futurrex 整個系列的光刻膠都不需要HMDS步驟,都可以簡化。
24.一般電話咨詢光刻膠,我們應(yīng)該向客戶咨詢哪些資料?
A 1 需要知道要涂在什么材質(zhì)上,2
還有要知道需要做的膜厚,NR9 3000PY光刻膠多少錢,3
還要知道光刻膠的分辨率
4還有需要正膠還是負(fù)膠,5
需要國產(chǎn)還是進(jìn)口的
27.想找一款膜厚在120um,的光刻膠,有什么光刻膠可以做到?。?/p>
A 以前有使用過美國有款光刻膠可以達(dá)到Futurrex
NR21-20000P ,。
28.有沒有了解一款美國Futurrex
NR9-250P的光刻膠,請教下?
A 這是一款負(fù)性光刻膠,濕法蝕刻使用的,附著力很好,耐100度的溫度,國內(nèi)也有可以代理的公司,F(xiàn)uturre
光刻膠是世界第4大的電子化學(xué)品制造商,在光刻膠的領(lǐng)域有著不錯的聲譽,在太陽能光伏,和LED半導(dǎo)體行業(yè)都有不錯的市場占有率。
29.想找款膜厚的產(chǎn)品,進(jìn)行蝕刻,NR9 3000PY光刻膠,有什么好推薦?
A 厚膜應(yīng)用(thick
film applicati),主要是指高縱橫比(Aspect
ratios),高分辨率,高反差,有幾款產(chǎn)品向你推薦一下《NR4-8000P,NR2-20000P,NR5-8000,這些產(chǎn)品都需要用到邊膠清洗液》
的光刻
光刻膠:用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒介
光刻膠具有光化學(xué)敏感性,其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝,可以將設(shè)計好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。
光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠化學(xué)品,生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領(lǐng)域,NR9 3000PY光刻膠廠家,需求較為分散。
光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路(IC)光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中, PCB光刻膠占市場24.5%,半導(dǎo)體IC光刻膠占市場24.1%,LCD光刻膠占市場26.6%。
三、光刻膠涂覆(Photoresist Coating)
光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前,先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程,一薄層的對紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物,即通常所說的光刻膠,要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面,(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺上),樣品然后高速旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下,膠在離心力的作用下向邊緣流動。
涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時間,同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。
光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間,而對于特殊微結(jié)構(gòu)制造,膠厚度有時希望1cm量級。在后者,旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。
在工藝發(fā)展的早期,NR9 3000PY光刻膠報價,負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位,隨著VLSI IC和2~5微米圖形尺寸的出現(xiàn),負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠,但正膠的缺點是粘結(jié)能力差。
用正膠需要改變掩膜版的極性,這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結(jié)合,在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的,由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng),使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。
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