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2,NR9 3000PY光刻膠哪里有,涂膠,在硅片覆蓋,旋轉,離心力,在硅片表面通過旋轉的光刻膠,工藝參數(shù)3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um,
3,前烘,通過在較高溫度下進行烘焙,使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā),溶劑將至5%左右,同時增強與襯底的粘附性。前烘方法:熱平板傳導,干燥循環(huán)熱風提高附著力,紅外線輻射。
烘箱前烘條件:90-100度,10-20min,前烘時間與溫度應適當,如太長或溫度太高,光刻膠層變脆而附著力下降,而前烘不足會影響后面的顯影效果。
6,堅膜
堅膜也叫后烘,是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象,能使膠膜附著能力增強,NR9 3000PY光刻膠廠家,康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7,顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡,針KONG、小島。
8刻蝕
就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉,達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕,SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜,干法腐蝕。
芯片光刻的流程詳解(一)
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時的日曬,NR9 3000PY光刻膠價格,透光部分的瀝青明顯變硬,NR9 3000PY光刻膠,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。
Niepce的發(fā)明100多年后,即第二次大戰(zhàn)期間才應用于制作印刷電路板,即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管,當時分辨率5um,如今除可見光光刻之外,更出現(xiàn)了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。
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