光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，NR74g 3000PY光刻膠，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認可。

NR77-15000P

9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。負膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O，NR74g 3000PY光刻膠哪家好，正膠：BIN酮，干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O，NR74g 3000PY光刻膠廠家，等離子去膠Oxygenplasma ashing，NR74g 3000PY光刻膠公司，高頻電場O2---電離O- O ，  O 活性基與膠反應(yīng)CO2，CO， H2O， 光刻檢驗

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進一步發(fā)展

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