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RR5光刻膠多少錢-RR5光刻膠-北京賽米萊德公司

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發(fā)布時(shí)間:2022-03-10 03:11  





光刻膠的參數(shù)是什么?

分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)光刻膠的要求也越來(lái)越高。光刻膠的技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,RR5光刻膠公司,光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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負(fù)性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹(shù)脂、增感劑(見(jiàn)光譜增料)和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長(zhǎng)的光或者射線時(shí),會(huì)相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵(lì)作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)時(shí)引起的。對(duì)于有機(jī)物,基態(tài)與激勵(lì)態(tài)的能量差為3~6eV,相當(dāng)于該能量差的光(即波長(zhǎng)為0.2~0.4μm的光)被有機(jī)物強(qiáng)烈吸收,RR5光刻膠哪家好,使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)。化學(xué)鍵合在受到這種激勵(lì)時(shí),或者分離或者改變鍵合對(duì)象,發(fā)生化學(xué)變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后,因與物質(zhì)具有的電子相互作用,能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中,因此生成激勵(lì)狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。

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光刻膠的參數(shù)

賽米萊德生產(chǎn)、銷售光刻膠,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名:resolution。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

對(duì)比度

對(duì)比度(Contrast)指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。對(duì)比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,RR5光刻膠多少錢,分辨率越好。

敏感度

敏感度(Sensitivity)光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的能量值(或曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

粘滯性黏度

粘滯性/黏度(Viscosity)是衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會(huì)產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,RR5光刻膠,粘滯性更高、流動(dòng)性更差。粘度的單位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來(lái)度量。百分泊即厘泊為粘滯率;運(yùn)動(dòng)粘滯率定義為:運(yùn)動(dòng)粘滯率=粘滯率/比重。 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。

粘附性

粘附性(Adherence)表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等)。

抗蝕性

抗蝕性(Anti-etching)光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

表面張力

液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力(Surface Tension),使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。



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