PC6-16000

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質(zhì)期長達(dá)3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm

PR1-2000A1NR7 6000P光刻膠

4，曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，NR7 6000P光刻膠，經(jīng)與光刻版對準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時間，NR7 6000P光刻膠哪里有，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進(jìn)行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

光刻工藝重要性二

光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達(dá)到的極限分辨率不斷提高，NR7 6000P光刻膠多少錢，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應(yīng)的光刻膠的價格也更高。

光刻光路的設(shè)計，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。

工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。

為了實現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，NR7 6000P光刻膠廠家，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。

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