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VCO的關(guān)鍵性能參數(shù)是調(diào)諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負(fù)載阻抗。其次要性能參數(shù)包括電源電壓、電源電流、調(diào)諧靈敏度、推頻、牽引、調(diào)諧端口電容和機(jī)械事項(xiàng)。調(diào)諧靈敏度用于說明調(diào)諧電壓(MHz/V)變化引起的輸出頻率變化。
值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調(diào)諧電壓之間存在關(guān)系,LVDS輸出電壓調(diào)振蕩器生產(chǎn)廠家,但是不一定存在線性關(guān)系。就大多數(shù)帶模擬電壓輸入設(shè)計(jì)的VCO而言,其輸出頻率與調(diào)諧電壓之間存在大致線性關(guān)系,但這并未考慮輸入電壓、輸入電流、負(fù)載和調(diào)諧電壓對輸出功率和頻率特性的綜合影響。這些影響可以采用推頻(VCO頻率變化與電源電壓的關(guān)系)和牽引(VCO頻率變化與輸出負(fù)載的關(guān)系)進(jìn)行說明。
晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹
標(biāo)稱頻率:振蕩器輸出的中心頻率或頻率的
頻率準(zhǔn)確度:振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。
調(diào)整頻差:在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時(shí)測量值的較大允許頻率偏差。
負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)(產(chǎn)生諧振)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
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壓控振蕩器優(yōu)點(diǎn)
低相位噪聲:高頻低抖動(dòng)的LVDS輸出壓控晶振,抖動(dòng)小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達(dá)到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz,HCSL輸出電壓調(diào)振蕩器生產(chǎn)廠家, HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會(huì)結(jié)合PLL鎖相電路實(shí)現(xiàn)超高頻,湖北電壓調(diào)振蕩器生產(chǎn)廠家,如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm,LVPECL輸出電壓調(diào)振蕩器生產(chǎn)廠家, CMOS輸出,工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。
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