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碳化硅形成的特點是不通過液相,??谀突鸩牧嫌锰蓟瑁溥^程是,約從1700攝氏度開始,碳質(zhì)原料由砂粒變?yōu)槿垠w,進(jìn)而變?yōu)檎羝?;二氧化硅熔體和蒸汽鉆進(jìn)碳質(zhì)材料的氣孔,滲入碳的顆粒,發(fā)生生成SiC的反應(yīng);溫度升高至1700-1900攝氏度時,耐火材料用碳化硅報價,生產(chǎn)β-SiC;溫度進(jìn)一步升高至1900-2000攝氏度時,細(xì)小的β-SiC轉(zhuǎn)變成α-SiC,α-SiC晶粒逐漸長大和密實;爐溫再升至2500攝氏度左右,SiC開始分解變?yōu)楣枵羝褪?/p>
碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,制作芯片的材料按照歷史進(jìn)程分為:一代半導(dǎo)體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度硅),耐火材料用碳化硅廠家,二代化合物半導(dǎo)體材料(、磷化銦),第三代化合物半導(dǎo)體材料(碳化硅、氮化) 。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能:高禁帶寬度(對應(yīng)高擊穿電場和高功率密度)、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率,耐火材料用碳化硅多少錢,將是未來較被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。
純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用好的石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。
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