飛楊電源技術(shù)（深圳）有限公司是一家以電源設(shè)計(jì)開發(fā)銷售為主的科技公司，

計(jì)有876名工人， 廠房面積:23000平方米，月產(chǎn)能 2KK pcs各種電源， 年銷售額4.5億元

現(xiàn)在的手機(jī)的充電速度越來越快，筆記本電源適配器，手機(jī)充電器的功率越做越大。曾經(jīng)的手機(jī)標(biāo)配充電器5V2A電源適配器，現(xiàn)在已失去往日的輝煌。這是代的快充協(xié)議，簡稱QC1.0。當(dāng)時(shí)能狗滿足大部分電子設(shè)備的充電器需求，時(shí)過境遷，它卻在另一條路上走得很是堅(jiān)挺。

飛楊電源技術(shù)（深圳）有限公司是一家以電源設(shè)計(jì)開發(fā)銷售為主的科技公司，

計(jì)有876名工人， 廠房面積:23000平方米，月產(chǎn)能 2KK pcs各種電源， 年銷售額4.5億元

接下來查看18WPD充電器的表現(xiàn)，在開始充電1分鐘后其開始進(jìn)入快充模式提高了充電功率，于50分鐘左右此時(shí)手機(jī)充電電量達(dá)到80%左右，充電器降低了充電功率快充效率也隨之下降，于1小時(shí)35分完成充電，比起5W充電時(shí)間縮短了近一半。20WPD充電器與前者類似，均于開始充電1分鐘后提高充電功率，并于49分左右電量達(dá)到80%后下調(diào)充電功率，于1小時(shí)32分完成充電。

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氮化廠家采用的GaN氮化材料穩(wěn)定又堅(jiān)硬，聯(lián)想電源適配器，它的熔點(diǎn)約為1700℃，做成GaN功率器件（GaNFET）后可以在200℃以上的高溫下工作。氮化比硅材料的禁帶寬度大3倍、擊穿場強(qiáng)高10倍、飽和電子遷移速度倍、熱導(dǎo)率高2倍，這些性能提升帶來的優(yōu)勢就是它比硅更適合做大功率高頻的功率器件。假如電源插孔內(nèi)的交流電是一望無際的湖水，充電器內(nèi)的功率器件就像勺子，需要不斷將插孔內(nèi)的湖水撈出，適配器，轉(zhuǎn)化為直流電后再傳輸給數(shù)碼設(shè)備供電。此時(shí)，用MOSFET做的勺子每秒鐘只能勺10下，再快就有燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。而GaNFET做的勺子每秒則可以勺至少30下，還不怕累。

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