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化學(xué)氣相沉積法簡(jiǎn)介
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化學(xué)氣相堆積(簡(jiǎn)稱CVD)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響,生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表,進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。
化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)資料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控。現(xiàn)在,化學(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
方箱PECVD簡(jiǎn)介
該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,鍍膜樣品為156×156mm基片(并向下兼容)。
設(shè)備概述:
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開門;
2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm;
3.極限真空度:≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用分子泵抽氣);
系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,35分鐘可達(dá)到
(采用分子泵抽氣,分子泵不配,預(yù)留分子泵接口); 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤5 Pa(采用分子
泵抽氣,分子泵不配,預(yù)留分子泵接口);
4.采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式;
5.樣品加熱加熱溫度:300℃,溫控精度:±1°C,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好,采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫;
6.噴淋頭尺寸:200×200mm,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家,噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào);
7. 沉積工作真空:13-1300Pa;
8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng),真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置;
9.射頻電源:頻率 13.56MHz,功率500W,全自動(dòng)匹配;
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體,共計(jì)使用7個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。
11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
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化學(xué)氣相沉積的過程介紹
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具體說來,基于輝光放電方法的PECVD技術(shù),等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備價(jià)格,能夠使得反應(yīng)氣體在外界電磁場(chǎng)的激勵(lì)下實(shí)現(xiàn)電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中,電子經(jīng)外電場(chǎng)加速后,其動(dòng)能通??蛇_(dá)10eV左右,甚至更高,足以破壞反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備,因此,通過高能電子和反應(yīng)氣體分子的非彈性碰撞,就會(huì)使氣體分子電離(離化)或者使其分解,產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場(chǎng)的加速與上電極碰撞,放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場(chǎng),所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴(kuò)散到達(dá)管壁和襯底。這些粒子和基團(tuán)(這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán))在漂移和擴(kuò)散的過程中,由于平均自由程很短,所以都會(huì)發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過程。到達(dá)襯底并被吸附的化學(xué)活性物(主要是基團(tuán))的化學(xué)性質(zhì)都很活潑,由它們之間的相互反應(yīng)從而形成薄膜。
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