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等離子刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介
等離子刻蝕機(jī),又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,是干法刻蝕中比較常見的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司,電離氣體原子通過電場(chǎng)加速時(shí),會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式,這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好,用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),直接等離子體(direction plasma)。
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什么是化學(xué)氣相沉積?
化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?;瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程準(zhǔn)確控制?;瘜W(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
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化學(xué)氣相沉積技術(shù)類型介紹
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化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別,我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型:
1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊,將反應(yīng)器中抽成真空,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備, 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體,然后再次密封, 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別,它的優(yōu)點(diǎn)是:①能有效夠避免外部污染;②無須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。
2 開管法這種制備方法的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時(shí)補(bǔ)充。廢氣也可以及時(shí)排出反應(yīng)裝置。以加熱方法為區(qū)分,開管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會(huì)讓整個(gè)沉積室壁都會(huì)因此變熱,所以管壁上同樣會(huì)發(fā)生沉積。冷壁式加熱一般會(huì)使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。
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