縮微技術(shù)

數(shù)字技術(shù)高度發(fā)展的時(shí)代，縮微技術(shù)與數(shù)字技術(shù)緊密地結(jié)合起來—數(shù)模影像整合系統(tǒng)，充分發(fā)揮縮微技術(shù)長于“存”、數(shù)字技術(shù)長于“用”的特點(diǎn)。也就是說，也就是說通過利用柯達(dá)數(shù)字存檔機(jī)及相應(yīng)的軟件系統(tǒng)，將數(shù)字技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，數(shù)轉(zhuǎn)膠存檔機(jī)多少錢，即數(shù)字傳輸?shù)目焖傩?、邏輯性和便利性，同縮微技術(shù)的性、長久性、真實(shí)性和經(jīng)濟(jì)性以及法律效力性結(jié)合在一起，共同納入信息資料現(xiàn)代化管理的技術(shù)軌道。

NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

通過NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖，可見每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，數(shù)轉(zhuǎn)膠存檔機(jī)多少錢，當(dāng)需要讀取某個(gè)Page時(shí)，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個(gè)Page的Word Line施加電壓，而對(duì)其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變Floating Gate中電荷數(shù)量），數(shù)轉(zhuǎn)膠存檔機(jī)多少錢，讓這些Page的所有基本存儲(chǔ)單元的D和S導(dǎo)通，數(shù)轉(zhuǎn)膠存檔機(jī)，而我們要讀取的Page的基本存儲(chǔ)單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時(shí)，Bit Line讀出‘0’，無電荷Bit Line讀出‘1’，實(shí)現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見NAND無法實(shí)現(xiàn)位讀取（即Random Access），程序代碼也就無法在NAND上運(yùn)行。

勻膠機(jī)簡單介紹

送片盒中的晶片，自動(dòng)送到承片臺(tái)上，用真空吸附，在主軸電機(jī)的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速100-9900轉(zhuǎn)/分(±10轉(zhuǎn)/分)，起動(dòng)加速度可調(diào)。

每道程序的持續(xù)時(shí)間，轉(zhuǎn)速、加速度、烘烤溫度、烘烤時(shí)間、預(yù)烘時(shí)間等工藝參數(shù)均可通過編程控制。

勻膠機(jī)有一個(gè)或多個(gè)滴膠系統(tǒng)，可涂不同品種的光刻膠。滴膠的方式有晶片靜止或旋轉(zhuǎn)滴膠。隨著晶片尺寸的增大，出現(xiàn)了多點(diǎn)滴膠或膠口移動(dòng)式滴膠。

膠膜厚度一般在500-1000nm，同一晶片和片與片間的誤差小于±5nm。滴膠泵有波紋管式和薄膜式兩種，并有流量計(jì)進(jìn)行恒量控制。對(duì)涂過膠的晶片有上下刮邊功能，去掉晶片正反面多余的光刻膠。

烘烤工位，有隧道式遠(yuǎn)紅外加熱，微波快速加熱以及電阻加熱的熱板爐等。涂膠后的晶片要按一定的升溫速率進(jìn)行烘干。烘烤過程在密封的爐子中進(jìn)行，通過抽真空排除揮發(fā)出來的有害物質(zhì)。前烘結(jié)束后，將晶片送入收片盒內(nèi)。

主軸轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定性和重復(fù)性是決定膠膜厚度均勻性和一致性的關(guān)鍵，起動(dòng)加速度的大小是決定是否能將不同粘稠度的光刻膠甩開并使膠均勻的決定因素。

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