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ICP刻蝕機的測量與控制
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由于等離子刻蝕工藝中的過程變量,如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗,等等,不易測量,因此業(yè)界常用的測量方法有:
虛擬測量(Virtual Metrology)
等離子刻蝕過程控制示意圖
光譜測量
等離子阻抗監(jiān)控
終端探測
遠程耦合傳感
控制方法
run-to-run 控制(R2R)
模型預(yù)測控制(MPC)
人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制
化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用
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鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強的吸附作用以及特別的選擇滲透性能,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備,是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機化合物當(dāng)做制備鈀的材料,具體包括:烯丙基Pd(η-C3H5) (η-C5H5)以及 Pd(η-C3H5)(CF3COCHCOCF3)之類的材料,使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。
物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別
化學(xué)氣相沉積過程中有化學(xué)反應(yīng),等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢,多種材料相互反應(yīng),生成新的的材料。
物理氣相沉積中沒有化學(xué)反應(yīng),材料只是形態(tài)有改變。
物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單,對環(huán)境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好,與基體的結(jié)合力強。
化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好
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