ICP刻蝕機(jī)裝片介紹

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來(lái)分享ICP刻蝕機(jī)的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

等離子體系統(tǒng)效應(yīng)的過(guò)程轉(zhuǎn)換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。冷熱探針?lè)▽A具平穩(wěn)放入反應(yīng)室的支架上，關(guān)好反應(yīng)室的蓋子。等離子刻蝕檢驗(yàn)原理為冷熱探針?lè)?，具體方法如下：熱探針和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言將是正的。同樣道理，P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。此電勢(shì)差可以用簡(jiǎn)單的微伏表測(cè)量。熱探針的結(jié)構(gòu)可以是將小的熱線圈繞在一個(gè)探針的周圍，化學(xué)氣相沉積設(shè)備，也可以用小型的電烙鐵。

物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別

化學(xué)氣相沉積過(guò)程中有化學(xué)反應(yīng)，多種材料相互反應(yīng)，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學(xué)反應(yīng)，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善，無(wú)污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。

化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點(diǎn)可造金屬膜、非金屬膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的繞射性好

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ICP刻蝕機(jī)的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡(jiǎn)稱ICPE）是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，產(chǎn)生高密度的等離子體，化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

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