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化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)
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特點(diǎn)
1)在中溫或高溫下,通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負(fù)壓“進(jìn)行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好)。
)采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行。
4)涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制涂層的密度和涂層純度。
6)繞鍍件好??稍趶?fù)雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復(fù)雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好,所以可涂覆帶有槽、溝、孔,等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià),甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構(gòu),不耐彎曲,但可通過各種技術(shù)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的氣相擾動(dòng),以改善其結(jié)構(gòu)。
8)可以通過各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
化學(xué)氣相沉積過程介紹
化學(xué)氣相沉積過程分為三個(gè)重要階段:反應(yīng)氣體向基體表面擴(kuò)散、反應(yīng)氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。常見的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)有:熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)和化學(xué)傳輸反應(yīng)等。通常沉積TiC或TiN,是向850~1100℃的反應(yīng)室通入TiCl4,H2,CH4等氣體,經(jīng)化學(xué)反應(yīng),在基體表面形成覆層。
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ICP刻蝕機(jī)的測(cè)量與控制
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由于等離子刻蝕工藝中的過程變量,如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗,等等,不易測(cè)量,因此業(yè)界常用的測(cè)量方法有:
虛擬測(cè)量(Virtual Metrology)
等離子刻蝕過程控制示意圖
光譜測(cè)量
等離子阻抗監(jiān)控
終端探測(cè)
遠(yuǎn)程耦合傳感
控制方法
run-to-run 控制(R2R)
模型預(yù)測(cè)控制(MPC)
人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制
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