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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹
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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置:
生長室,進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選,激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED,工作氣壓可達100Pa可預留法蘭,脈沖激光沉積裝置多少錢,用于LEED,K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器,脈沖激光沉積裝置,離子源,掩膜系統(tǒng)等。
脈沖激光沉積機制
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PLD的系統(tǒng)設備簡單,相反,它的原理卻是非常復雜的物理現(xiàn)象。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,脈沖激光沉積裝置廠家,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移,及膜的生成過程。所以,PLD一般可以分為以下四個階段:
1. 激光輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質(zhì)的動態(tài)
3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)與生成。
脈沖激光沉積的原理
脈沖激光沉積原理:在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。
脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,脈沖激光沉積裝置哪家好,金屬薄膜,磁性材料等。
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