陶瓷貼片電容。浙江陶瓷電容器多層片式陶瓷電容器

    陶瓷貼片電容

據(jù)調(diào)查，多層片式陶瓷電容器費(fèi)用，全世界生產(chǎn)制造的電容器中，80%是陶瓷貼片電容。一款手機(jī)上必須 使用到的電容器在300~400個(gè)上下，筆記本電腦和平板大概700~800個(gè)，這對電子產(chǎn)品的小型化，浙江陶瓷電容器輕量有非常大奉獻(xiàn)。大家看來一下陶瓷貼片電容的結(jié)構(gòu)，重慶多層片式陶瓷電容器，（如下圖）這也是一款簡單的平行面板陶瓷貼片電容器，浙江陶瓷電容器主要結(jié)構(gòu)關(guān)鍵分為五個(gè)一部分，陶瓷物質(zhì)，內(nèi)電積，外電級(jí)，鎳層，錫層。從結(jié)構(gòu)上看來，這浙江陶瓷電容器款陶瓷貼片電容是雙層疊合結(jié)構(gòu)，做到小型化，節(jié)約室內(nèi)空間的實(shí)際效果，完成電源電路基材的密度高的拼裝。

失效模式分析

失效模式分析

（1）在電場作用下，陶瓷電容器的擊穿 破壞遵循弱點(diǎn)擊穿理論，而局部放電是產(chǎn)生弱點(diǎn)破壞的根源。除因溫度冷熱變化產(chǎn)生熱應(yīng)力導(dǎo)致開裂外，對于環(huán)氧包封型高壓陶瓷電容，無論是留邊型還是滿銀型電容都存在著電極邊緣電場集中和陶瓷-環(huán)氧的結(jié)合界面等比較薄弱的環(huán)節(jié)。環(huán)氧包封陶瓷電容器由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過程體積收縮，產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力以殘余應(yīng)力的形式保留在包封層中，并作用于陶瓷-環(huán)氧界面，劣化界面的粘結(jié)。在電場作用下，組成高壓陶瓷電容瓷體的鈣鈦礦型鈦酸鍶鐵類陶瓷（SPBT）會(huì)發(fā)生電機(jī)械應(yīng)力，多層片式陶瓷電容器應(yīng)用，產(chǎn)生電致應(yīng)變。當(dāng)環(huán)氧包封層的殘余應(yīng)力較大時(shí)，二者聯(lián)合作用極可能造成包封與陶瓷體之間脫殼，產(chǎn)生氣隙，多層片式陶瓷電容器特點(diǎn)，從而降低電壓水平。

（2）介質(zhì)內(nèi)空洞：導(dǎo)致空洞產(chǎn)生的主要因素為陶瓷粉料內(nèi)的有機(jī)或無機(jī)污染、燒結(jié)過程控制不當(dāng)?shù)取？斩吹漠a(chǎn)生極易導(dǎo)致漏電，而漏電又導(dǎo)致器件內(nèi)局部發(fā)熱，進(jìn)一步降低陶瓷介質(zhì)的絕緣性能從而導(dǎo)致漏電增加。該過程循環(huán)發(fā)生，不斷惡化，導(dǎo)致其耐壓水平降低。

陶瓷材料在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用主要有

1、陶瓷基復(fù)合材料用于航天器外殼。碳纖維或碳化硅等陶瓷纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料已成為制造航天器外殼和火箭噴嘴等不可或缺的材料。

2、HfB2、ZrB2、ZrC等用于超高溫陶瓷涂層。隨著超高聲速的發(fā)展，對其表面抗燒蝕和抗大氣沖刷的要求也越來越好，HfB2、ZrB2、ZrC等超高溫陶瓷作為高溫涂層材料對提升表面的抗燒蝕和抗沖刷能力有著的作用。

3、氮化物復(fù)合材料用于高溫透波材料。氮化硅、氮化硼等氮化物陶瓷具有耐高溫、介電常數(shù)和介電損耗低、抗蠕變和等優(yōu)異性能，可用作新一代透波材料；六方氮化硼陶瓷的導(dǎo)熱性好、微波穿透能力強(qiáng)，可用作雷達(dá)窗口材料；同時(shí)其密度較小，可用作的高溫結(jié)構(gòu)材料。

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