多層陶瓷電容型號(hào)釋義

      隨著世界電子行業(yè)的飛速發(fā)展，作為電子行業(yè)的基礎(chǔ)元件，多層片式陶瓷電容也以驚人的速度向前發(fā)展，每年以10%～15%的速度遞增。目前，世界片式電容的需求量在 2000億支以上，重慶陶瓷電容器，70%出自日本，其次是歐美和東南亞(含中國(guó)) 。隨著多層片式陶瓷電容產(chǎn)品可靠性和集成度的提高，其使用的范圍越來(lái)越廣，廣泛地應(yīng)用于各種軍民用電子整機(jī)和電子設(shè)備。如電腦、電話、程控交換機(jī)、精密的測(cè)試儀器、雷達(dá)通信等。

陶瓷電容的作用

耦合

用在耦合電路中的陶瓷電容稱為耦合電容，在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路，起隔直流通交流作用，小型片式多層陶瓷電容器，它作為兩個(gè)電路之間的連接，陶瓷電容器生產(chǎn)，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路。

濾波

用在濾波電路中的陶瓷電容器稱為濾波電容，濾波電容是會(huì)將一定頻段內(nèi)的信號(hào)從總信號(hào)中去除的，所以在電源電路中，整流電路將交流變成脈動(dòng)的直流，而在整流電路之后接入一個(gè)較大容量的陶瓷電容，利用其充放電特性，使整流后的脈動(dòng)直流電壓變成相對(duì)比較穩(wěn)定的直流電壓。

失效模式分析

（1）在電場(chǎng)作用下，陶瓷電容器的擊穿 破壞遵循弱點(diǎn)擊穿理論，而局部放電是產(chǎn)生弱點(diǎn)破壞的根源。除因溫度冷熱變化產(chǎn)生熱應(yīng)力導(dǎo)致開裂外，對(duì)于環(huán)氧包封型高壓陶瓷電容，無(wú)論是留邊型還是滿銀型電容都存在著電極邊緣電場(chǎng)集中和陶瓷-環(huán)氧的結(jié)合界面等比較薄弱的環(huán)節(jié)。環(huán)氧包封陶瓷電容器由于環(huán)氧樹脂固化冷卻過(guò)程體積收縮，積層陶瓷電容器價(jià)格，產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力以殘余應(yīng)力的形式保留在包封層中，并作用于陶瓷-環(huán)氧界面，劣化界面的粘結(jié)。在電場(chǎng)作用下，組成高壓陶瓷電容瓷體的鈣鈦礦型鈦酸鍶鐵類陶瓷（SPBT）會(huì)發(fā)生電機(jī)械應(yīng)力，產(chǎn)生電致應(yīng)變。當(dāng)環(huán)氧包封層的殘余應(yīng)力較大時(shí)，二者聯(lián)合作用極可能造成包封與陶瓷體之間脫殼，產(chǎn)生氣隙，從而降低電壓水平。

（2）介質(zhì)內(nèi)空洞：導(dǎo)致空洞產(chǎn)生的主要因素為陶瓷粉料內(nèi)的有機(jī)或無(wú)機(jī)污染、燒結(jié)過(guò)程控制不當(dāng)?shù)?。空洞的產(chǎn)生極易導(dǎo)致漏電，而漏電又導(dǎo)致器件內(nèi)局部發(fā)熱，進(jìn)一步降低陶瓷介質(zhì)的絕緣性能從而導(dǎo)致漏電增加。該過(guò)程循環(huán)發(fā)生，不斷惡化，導(dǎo)致其耐壓水平降低。

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