光刻膠分類

根據(jù)化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經(jīng)曝光后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經(jīng)曝光后變成可溶的為正性膠。

從需求端來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。

想要了解更多賽米萊德的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

光刻膠概況

以下內(nèi)容由賽米萊德為您提供，今天我們來分享光刻膠的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是光刻工藝的關(guān)鍵化學品，NR74g 6000PY光刻膠多少錢，主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，被廣泛應用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作，下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類。其中，樹脂約占 50%，單體約占35%，光引發(fā)劑及添加助劑約占15%。

光刻膠工藝

主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產(chǎn)的大頭。

在目前比較主流的半導體制造工藝中，NR74g 6000PY光刻膠報價，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，NR74g 6000PY光刻膠哪家好，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的設備。目前，ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上，媲美一架F35 戰(zhàn)斗機。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)先進水平。

北京賽米萊德有限公司-NR74g 6000PY光刻膠由 北京賽米萊德貿(mào)易有限公司提供。 北京賽米萊德貿(mào)易有限公司實力不俗，信譽可靠，在北京 大興區(qū) 的工業(yè)制品等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。賽米萊德帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念和您攜手步入輝煌，共創(chuàng)美好未來！