ICP刻蝕機(jī)的測量與控制

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī)，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業(yè)界常用的測量方法有：

虛擬測量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過程控制示意圖

光譜測量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測

遠(yuǎn)程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預(yù)測控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢，可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達(dá) 70%以上。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)化學(xué)氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備價(jià)格，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。

沈陽鵬程公司-等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司提供。沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司位于沈陽市沈河區(qū)凌云街35號。在市場經(jīng)濟(jì)的浪潮中拼博和發(fā)展，目前沈陽鵬程在成型設(shè)備中享有良好的聲譽(yù)。沈陽鵬程取得全網(wǎng)商盟認(rèn)證，標(biāo)志著我們的服務(wù)和管理水平達(dá)到了一個(gè)新的高度。沈陽鵬程全體員工愿與各界有識之士共同發(fā)展，共創(chuàng)美好未來。