RoHS分析儀的分析原理

波長(zhǎng)色散X射線熒光光譜儀使用分析晶體分辨待測(cè)元素的分析譜線，根據(jù)Bragg定律，通過(guò)測(cè)定角度，即可獲得待測(cè)元素的譜線波長(zhǎng):

nλ=2dsinaθ (n=1，2，3…)

式中 ，λ為分析譜線波長(zhǎng);d為晶體的晶格間距;θ為衍射角;n為衍射級(jí)次。利用測(cè)角儀可以測(cè)得分析譜線的衍射角，利用上式可以計(jì)算相應(yīng)被分析元素的波長(zhǎng)，從而獲得待測(cè)元素的特點(diǎn)信息。

能量色散射線熒光光譜儀則采用能量探測(cè)器，rohs檢測(cè)分析儀多少錢，通過(guò)測(cè)定由探測(cè)器收集到的電荷量，直接獲得被測(cè)元素發(fā)出的特征射線能量:

Q=kE式中，E為入射射線的光子能量;Q為探測(cè)器產(chǎn)生的相應(yīng)電荷量;k為不同類型能量探測(cè)器的響應(yīng)參數(shù)。電荷量與入射射線能量成正比，rohs檢測(cè)分析儀廠家，故通過(guò)測(cè)定電荷量可得到待測(cè)元素的特點(diǎn)信息。

待測(cè)元素的特征譜線需要采用一定的激發(fā)源才能獲得。目前常規(guī)采用的激發(fā)源主要有射線光管和同位素激發(fā)源等。

為獲得樣品的定性和定量信息，除光譜儀外，還必須采用一定的樣品制備技術(shù)，并對(duì)獲得的強(qiáng)度進(jìn)行相關(guān)的譜分析和數(shù)據(jù)處理。

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RoHS檢測(cè)儀的測(cè)試方法

將相關(guān)產(chǎn)品送往質(zhì)檢部進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)時(shí)要將產(chǎn)品拆分為單一材質(zhì)既均一材質(zhì)后進(jìn)行測(cè)試，其中PB、CD、HG、CR6 、PBB、PBDE等六種有害物質(zhì)是否符合RoHS指令要求，若符合就可獲得RoHS合格報(bào)告，若不符合，就得返回生產(chǎn)部查找問(wèn)題源頭。

六種有害物質(zhì)首先通過(guò)X熒光光譜儀進(jìn)行篩查，其中CR6 通過(guò)測(cè)定總CR量來(lái)推算CR6 含量，PBB、PBDE通過(guò)測(cè)定總CR量來(lái)推算PBB、PBDE含量，rohs檢測(cè)分析儀，其它三種物質(zhì)直接測(cè)定。篩查后不能判定是否合格的樣品進(jìn)入下一步測(cè)試，rohs檢測(cè)分析儀價(jià)格，通過(guò)多種破壞性的化學(xué)法進(jìn)行確認(rèn)。

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RoHS分析儀配置

探測(cè)器：

類型：電制冷硅半導(dǎo)體探測(cè)器

產(chǎn)地：美國(guó)

Be窗厚度：1mil 

分辨率：149eV

系統(tǒng)峰背比：≥ 5000/1

信號(hào)處理器：

規(guī)格：第五代數(shù)字信號(hào)處理器

產(chǎn)地：美國(guó)

信號(hào)通過(guò)率2，000，000cps

MCA通道數(shù)8K

探測(cè)器電源：

規(guī)格：第五代探測(cè)器、信號(hào)處理器反饋穩(wěn)壓電源

產(chǎn)地：美國(guó)

輸入電壓：5V

高壓電源：

規(guī)格：數(shù)控高壓電源

產(chǎn)地：美國(guó)

電壓：0 - 50kV

電流：0 - 2mA

功率：50W

電壓調(diào)整率：0.01% （從空載到滿載）

電流調(diào)整率：0.01% （從空載到滿載）

8小時(shí)穩(wěn)定性：0.05%

光管：

規(guī)格：水冷光管

產(chǎn)地：上海

電壓: 0 - 50kV

電流: 0 - 1mA

功率: 50W

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多RoHS分析儀的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

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