化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢，可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備，C15H21IrO6的制取效率達(dá) 70%以上。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

生產(chǎn)晶須：

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時(shí)使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)?；瘜W(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時(shí)也能生產(chǎn)出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對(duì)晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無(wú)法制備出的一些晶體?；瘜W(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個(gè)別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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