DLC真空鍍膜設(shè)備的分類與應(yīng)用

金剛石膜(DLC)真空鍍膜設(shè)備是在塑料玻璃金屬等表面進行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的設(shè)備，DLC真空鍍膜設(shè)備鍍出的膜層牢固且細(xì)密環(huán)保，我們?nèi)粘Ｉ钪卸茧x不開DLC真空鍍膜設(shè)備。

金剛石膜(DLC)真空鍍膜設(shè)備主要是（集）直流磁控濺射，中頻濺射和電弧離子蒸發(fā)三種技術(shù)融合一體，結(jié)合線性離化源及脈沖偏壓鍍膜可使沉積顆粒細(xì)化膜層各項性能提高，能在金屬制品及非金屬表面鍍制合金膜、化合物膜、多層復(fù)合膜等。

經(jīng)至成真空科技技術(shù)人員多年專注研發(fā)，通過特有的陰極電弧離子和非平衡磁控系統(tǒng)，開發(fā)出整套PROPOWER系列計算機自動控制系統(tǒng)，使鍍膜層附著有力致密、從復(fù)度一致性好等特點；

解決了人工手動操作復(fù)雜性、膜層顏色不一致等問題。廣泛適用于手表、手機殼、五金、潔具、餐具及要求耐磨起硬的刀具、模具等。鍍制TiN、TiCN、CrN、TiALN、TiNbN、TiCrN、TiNC等。

DLC鍍膜設(shè)備技術(shù)作為一種產(chǎn)生特定膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。DLC鍍膜設(shè)備技術(shù)有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

DLC鍍膜設(shè)備是在中間設(shè)置真空室，在真空室的左右兩側(cè)設(shè)置左右大門，蒸發(fā)DLC鍍膜設(shè)備而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，蒸發(fā)DLC鍍膜設(shè)備可在該雙門上預(yù)留該兩裝置的接口，以備需要時換裝。

金剛石膜(DLC)真空鍍膜設(shè)備應(yīng)用于五金件、玻璃工藝品、陶瓷工藝品等，如手表、手機金屬殼、潔具、刀具、模具、電子產(chǎn)品、水晶玻璃等。

真空鍍膜機設(shè)備真空鍍膜機系統(tǒng)特點

真空鍍膜機在等離子體束濺射中，濺射離子均勻刻蝕靶面，并且不會使靶面產(chǎn)生氧化。與磁控濺射相比，其中的等離子體束是由射頻等離子體源產(chǎn)生的，磁場的作用則是使等離子體束會聚并偏轉(zhuǎn)至靶面，因此，雖然等離子體束濺射鍍膜系統(tǒng)內(nèi)也有磁場，但其磁場卻并不控制影響濺射，這也摒棄了磁控濺射中由磁場不均勻帶來的“磁控”的缺點。在濺射完成后，所得的靶材利用率可高達90%以上。

真空鍍膜機即分別進行磁控濺射和等離子體束濺射之后靶面刻蝕的對比圖。由于靶材的利用率大幅度提高，也解決了磁控濺射中所難以克服的缺點，即靶中的毒導(dǎo)致的刻蝕不均勻

真空鍍膜機此外，磁控濺射由于背面磁鐵磁場不均勻而產(chǎn)生濺射跑道，非磁場約束區(qū)很容易產(chǎn)生氧化，因此很難沉積鐵磁性材料，而等離子體束濺射中由于不用磁鐵作為等離子體約束，能夠進行鐵磁性材料的鍍膜，并且可以使用很厚的靶材，圖3中實驗金屬鈷的厚度即為6mm。對于鐵、鎳、鉻以及鐵磁性化合物，等離子體束濺射也都具有很高的濺射速率。

應(yīng)用該項鍍膜技術(shù)的系統(tǒng)還有一個優(yōu)點，當(dāng)將電磁線圈的極性反接時，由于磁場的方向產(chǎn)生了變化，等離子體束會在磁場的作用下轟擊基片，從而對基片產(chǎn)生清洗作用,如圖4所示。這實際上可以使得應(yīng)用該項技術(shù)的鍍膜機省略常規(guī)鍍膜機的清洗用離子源。

光學(xué)真空鍍膜設(shè)備該如何進行保養(yǎng)

光學(xué)真空鍍膜設(shè)備主要由真空鍍膜機室、真空抽氣機組限及電柜（控制電柜、電子電樞）組成，其廣泛應(yīng)用于微電子、光學(xué)成膜、民用裝飾、表面工程等領(lǐng)域。光學(xué)真空鍍膜設(shè)備在防止油污染和縮短工作周期等方面具有的性能。

光學(xué)真空鍍膜設(shè)備工作原理是在高真空狀態(tài)下、利用電子束對金屬或非金屬材料加熱到適當(dāng)?shù)臏囟?，材料受熱后蒸發(fā)成蒸汽分子。它的平均自由程比蒸發(fā)源至被蒸發(fā)基片距離大，蒸發(fā)出來的蒸汽分子向四處直射，碰到基片就沉積在基片表面形成臘層。