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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用
化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜:
化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。
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ICP刻蝕機(jī)的測(cè)量與控制
沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī),化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家,以下信息由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。
由于等離子刻蝕工藝中的過程變量,化學(xué)氣相沉積設(shè)備,如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗,等等,不易測(cè)量,因此業(yè)界常用的測(cè)量方法有:
虛擬測(cè)量(Virtual Metrology)
等離子刻蝕過程控制示意圖
光譜測(cè)量
等離子阻抗監(jiān)控
終端探測(cè)
遠(yuǎn)程耦合傳感
控制方法
run-to-run 控制(R2R)
模型預(yù)測(cè)控制(MPC)
人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制
化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用
以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,今天我們來分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助!
化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜
金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比,化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì),所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛,不過大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物,比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。
Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯(YSZ)等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳,化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià),并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜,如若不然則得到的就是銥碳簇膜,也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下,銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜,在電極材料上的使用在未來將很有潛力。
企業(yè): 沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司
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