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決定電流大小的微觀量：在加有電壓的一段粗細(xì)均勻的導(dǎo)體AD上選取兩個(gè)截面B和C，設(shè)導(dǎo)體的橫截面積為S，導(dǎo)體每單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù)為n，每個(gè)電荷的電荷量為e，電荷的定向移動(dòng)速率為v，智能垃圾分類屋廠家，則在時(shí)間t內(nèi)處于相距為vt的兩截面B、C間的所有自由電荷將通過截面C。由（I=ΔQ/Δt），可得I=nesv。 [8]

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諾貝爾獎(jiǎng)評(píng)審曾經(jīng)這樣評(píng)價(jià)基爾比：“為現(xiàn)代信息技術(shù)奠定了基礎(chǔ)”。1959年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·羅伊斯申請(qǐng)了更為復(fù)雜的硅集成電路，并馬上投入了商業(yè)領(lǐng)域。但基爾比首先申請(qǐng)了，因此，羅伊斯被認(rèn)為是集成電路的共同發(fā)明人。羅伊斯于1990年去世，與諾貝爾獎(jiǎng)擦肩而過。

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如果一個(gè)電路中元件僅包含串聯(lián)或者并聯(lián)關(guān)系，并且與電源直接相連，不考慮電源的內(nèi)阻的話，那么串聯(lián)電路兩端總電壓等于各部分電路兩端電壓和。 [2]電壓可分為高電壓，低電壓和安全電壓。高低壓的區(qū)別是：以電氣設(shè)備的對(duì)地的電壓值為依據(jù)的。對(duì)地電壓高于或等于1000伏的為高壓。對(duì)地電壓小于1000伏的為低壓。

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