PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所需要的激發(fā)能，氣相化學(xué)沉積設(shè)備，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，氣相化學(xué)沉積設(shè)備公司，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來(lái)需要在高溫下進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫下進(jìn)行。

化學(xué)氣相沉積的分類

化學(xué)氣相沉積的方法很多，如常壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學(xué)氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學(xué)氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(metal-organic CVD，氣相化學(xué)沉積設(shè)備哪家好，MOCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma enhanced CVD，氣相化學(xué)沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，PECVD）等。

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化學(xué)氣相沉積法簡(jiǎn)介

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化學(xué)氣相堆積(簡(jiǎn)稱CVD)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響，生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。

化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)資料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過(guò)氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控?，F(xiàn)在，化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

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