脈沖激光沉積系統(tǒng)的特點(diǎn)有哪些？

?  超高真空不銹鋼腔體

?  可集成熱蒸發(fā)源或?yàn)R射源

?  可旋轉(zhuǎn)的耐氧化基片加熱臺(tái)

?  流量計(jì)或針閥準(zhǔn)確控制氣體流量

?  標(biāo)準(zhǔn)真空計(jì)?  干泵與分子泵

?  可選配不銹鋼快速進(jìn)樣室

?  可選配基片-靶材距離自動(dòng)控制系統(tǒng)

?  是金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬納米薄膜、多層膜、超晶格的較佳設(shè)備

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，脈沖激光沉積裝置公司，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多脈沖激光沉積的知識(shí)，脈沖激光沉積裝置報(bào)價(jià)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

【設(shè)備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù)，用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)，脈沖激光沉積裝置，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無(wú)機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設(shè)備優(yōu)點(diǎn)】

設(shè)備全程采用一鍵式操作抽氣，關(guān)機(jī)，脈沖激光沉積裝置廠家，程序自動(dòng)化定時(shí)操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開(kāi)啟。

【設(shè)備主要組成】

設(shè)備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉(zhuǎn)臺(tái)、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成

PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)脈沖激光沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

技術(shù)指標(biāo)：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復(fù)真空時(shí)間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)?！　?/p>

二維掃描機(jī)械平臺(tái)，執(zhí)行兩自由度掃描，控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃，

質(zhì)量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫（高溫爐盤(pán)，數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫可加熱到800℃）

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