磁控濺射鍍膜機(jī)導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點(diǎn)：氣場(chǎng)和磁場(chǎng)

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場(chǎng)情況是濺射速率較高的情況，氣場(chǎng)變化，壓強(qiáng)變大和變小都會(huì)影響濺射速率。

磁場(chǎng)大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場(chǎng)小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場(chǎng)和磁場(chǎng)，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實(shí)際情況下，氣場(chǎng)穩(wěn)定，需要設(shè)計(jì)布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級(jí)布置，保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時(shí)，多靶磁控濺射儀多少錢，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。需要穩(wěn)定磁場(chǎng)，用高斯計(jì)測(cè)量靶材表面磁場(chǎng)強(qiáng)度，由于磁場(chǎng)線本身是閉合曲線，靶材磁場(chǎng)回路兩端磁場(chǎng)強(qiáng)度自然比中間位置強(qiáng)，可以選擇用弱磁鐵，同時(shí)，基材要避開無(wú)法調(diào)整的磁場(chǎng)變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，磁控濺射過(guò)程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。

光纖磁控濺射鍍膜機(jī)組成

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

設(shè)備用途：

在光纖表面鍍制納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。配有陽(yáng)極層離子源進(jìn)行清洗和輔助沉積，多靶磁控濺射儀哪家好，同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質(zhì)量和牢固度。樣品臺(tái)可鍍制多種型號(hào)光纖產(chǎn)品

系統(tǒng)主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，多靶磁控濺射儀，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對(duì)較高。

但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，多靶磁控濺射儀價(jià)格，同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶，如半導(dǎo)體膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場(chǎng)靜止靶源。

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