真空鍍膜機(jī)薄膜均勻性概念

1.厚度上的均勻性：也能夠理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的標(biāo)準(zhǔn)上看（也即是1/10波長(zhǎng)作為單位，約為100A），真空鍍膜機(jī)的均勻性現(xiàn)已相當(dāng)好，能夠輕松將粗糙度操控在可見光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)，也即是說(shuō)關(guān)于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)，真空鍍膜沒有任何妨礙。

2.化學(xué)組分上的均勻性：即是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于標(biāo)準(zhǔn)過(guò)小而很簡(jiǎn)單的發(fā)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，假如鍍膜進(jìn)程不科學(xué)，那么實(shí)踐外表的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的份額，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技能含量地點(diǎn)。

3.晶格有序度的均勻性：這決議了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技能中的熱點(diǎn)問(wèn)題。

真空鍍膜機(jī)的陰極電弧技術(shù)

真空鍍膜機(jī)的陰極電弧技術(shù)是利用真空環(huán)境下的弧光放電，使固體陰極靶材蒸發(fā)、離化并通過(guò)等離子體的強(qiáng)化作用，飛向陽(yáng)極基體表面沉積成膜的技術(shù)。正因?yàn)槿绱?，陰極電弧技術(shù)具有極高的沉積速率。

在含有惰性氣體或反應(yīng)氣體的真空環(huán)境下沉積在基體表面，具有高能量的離子束對(duì)于提高膜基結(jié)合力和打亂膜的柱狀晶結(jié)構(gòu)是非常有利的，從而也可大幅度改善膜的組織結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。目前，各薄膜設(shè)備制造商通過(guò)對(duì)成膜原理和工藝的研究采用各種不同的措施來(lái)減少“液滴”的產(chǎn)生。

其中BAI1200、RCS是采用圓形平面陰極源技術(shù)和輻射加熱技術(shù),可進(jìn)行快速鍍膜生產(chǎn)。利用該工藝制備的TiAlN可增強(qiáng)加工工具切削刃的穩(wěn)定性，并使干切削加工成為可能。

真空鍍膜機(jī)蒸發(fā)與磁控濺射鍍鋁性能

真空鍍膜機(jī)電子束蒸發(fā)與磁控濺射鍍鋁性能分析研究，為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試，分析比較了真空鍍膜設(shè)備電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn)。

嚴(yán)格控制發(fā)Al膜的厚度是十分重要的，因?yàn)锳l膜的厚度將直接影響Al膜的其它性能，從而影響半導(dǎo)體器件的可靠性。對(duì)于高反壓功率管來(lái)說(shuō)，它的工作電壓高，電流大，沒有一定厚度的金屬膜會(huì)造成成單位面積Al膜上電流密度過(guò)高，易燒毀。對(duì)于一般的半導(dǎo)體器件，Al層偏薄，則膜的連續(xù)性較差，呈島狀或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，引起壓焊引線困難，造成不易壓焊或壓焊不牢，從而影響成品率;Al層過(guò)厚，引起光刻時(shí)圖形看不清，造成腐蝕困難而且易產(chǎn)生邊緣腐蝕和“連條”現(xiàn)象。

采用真空鍍膜機(jī)電子束蒸發(fā)，行星機(jī)構(gòu)在沉積薄膜時(shí)均勻轉(zhuǎn)動(dòng)，各個(gè)基片在沉積Al膜時(shí)的幾率均等;行星機(jī)構(gòu)的聚焦點(diǎn)在坩堝蒸發(fā)源處，各個(gè)基片在一定真空度下沉積速率幾乎相等。采用真空鍍膜機(jī)磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。

附著力反映了Al膜與基片之間的相互作用力，也是保證器件的重要因素。真空鍍膜設(shè)備濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。真空鍍膜機(jī)高能量的濺射原子沉積在基片上進(jìn)行的能量轉(zhuǎn)換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴(kuò)散層，而且，在真空鍍膜設(shè)備成膜過(guò)程中基片始終在等離子區(qū)中被清洗，清除了附著力不強(qiáng)的濺射原子，凈化基片表面，增強(qiáng)了濺射原子與基片的附著力，因而濺射Al膜與基片的附著力較高。